本 - よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み［第2版］（2018/08）

図解入門 よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み[第2版]

ポイント

パワー半導体入門書籍。幅広くトピックを網羅していて入門書としていい。
ただし、ある程度の半導体知識がないと結構難しい内容かも～

目次

第1章 パワー半導体の全貌を俯瞰する

• 1-1 電子部品としての半導体デバイスの位置付け
• 1-2 半導体デバイスの中でのパワー半導体
• 1-3 パワー半導体“入ってる？”
• 1-4 パワー半導体を人体にたとえると？
• 1-5 トランジスタ構造の違い

第2章 パワー半導体の基本と動作

• 2-1 半導体の基本と動作
• 2-2 pn接合の話
• 2-3 トランジスタの基本と動作
• 2-4 バイポーラ型の基本と動作
• 2-5 MOS型の基本と動作
• 2-6 パワー半導体の歴史を振り返る
• 2-7 パワーMOSFETの登場
• コラム 片面と両面
• 2-8 バイポーラとMOSの融合体IGBTの登場
• 2-9 信号の変換との比較

第3章 各種パワー半導体の役割

• 3-1 一方通行のダイオード
• 3-2 大電流のバイポーラトランジスタ
• 3-3 双安定なサイリスタ
• 3-4 高速動作のパワーMOSFET
• 3-5 エコ時代のIGBT
• 3-6 パワー半導体の課題を探る

第4章 パワー半導体の用途と市場

• 4-1 パワー半導体の市場規模
• 4-2 電力インフラとパワー半導体
• 4-3 交通インフラとパワー半導体
• 4-4 自動車とパワー半導体
• 4-5 情報・通信とパワー半導体
• 4-6 家電とパワー半導体

第5章 パワー半導体の分類

• 5-1 用途で分類したパワー半導体
• 5-2 材料で分類したパワー半導体
• 5-3 構造・原理で分類したパワー半導体
• 5-4 容量で見たパワー半導体

第6章 パワー半導体用シリコンウェーハ

• 6-1 シリコンウェーハとは？
• 6-2 シリコンウェーハの作製法の違い
• 6-3 メモリやロジックと異なるFZ結晶
• 6-4 なぜFZ結晶が必要か？
• 6-5 シリコンの限界とは？

第7章 シリコンパワー半導体の発展

• 7-1 パワー半導体の世代とは？
• 7-2 IGBTに求められる性能
• 7-3 パンチスルーとノンパンチスルー
• 7-4 フィールドストップ型の登場
• 7-5 IGBT型の発展形を探る
• 7-6 IPM化が進むパワー半導体
• 7-7 冷却とパワー半導体

第8章 シリコンの限界に挑むSiCとGaN

• 8-1 6インチ径も出てきたSiCウェーハ
• 8-2 SiCのメリットと課題とは？
• 8-3 実用化が進むSiCインバータ
• 8-4 GaNウェーハの難しさ―ヘテロエピとは？
• 8-5 GaNのメリットと課題
• 8-6 GaNでノーマリーオフへ挑戦！
• 8-7 ウェーハメーカの動向
• コラム 時代は巡る

第9章 パワー半導体プロセスの特徴

• 9-1 パワー半導体とMOS LSIの違い
• 9-2 構造の工夫
• 9-3 エピタキシャル成長を多用
• 9-4 裏と表からの露光プロセス
• コラム アライナーの思い出
• 9-5 裏面の活性化はどうするのか？
• 9-6 ウェーハの薄化プロセスとは？
• 9-7 後工程と前工程との違い
• 9-8 ダイシングもちょっと異なる
• 9-9 ダイボンディングの特徴
• 9-10 ボンディング用のワイヤも太くなる
• 9-11 封止材料も変化

第10章 パワー半導体が拓くグリーンエネルギー時代

• 10-1 グリーンエネルギー時代とパワー半導体
• 10-2 再生可能エネルギーに欠かせないパワー半導体
• 10-3 スマートグリッドとパワー半導体
• 10-4 電気自動車（EV）とパワーデバイス
• 10-5 21世紀型交通インフラとパワー半導体
• 10-6 期待される横断的テクノロジーとしてのパワー半導体
• コラム 素材、キーデバイスの生き残り
• 10-7 パワー半導体の参入メーカ